RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,122.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
46
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,831.7
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,122.7
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
773
2688
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link