RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB vs Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
50
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,122.7
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
46
50
Prędkość odczytu, GB/s
4,831.7
5,143.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,122.7
1,905.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
6400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
773
855
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link