RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
87
Wokół strony -190% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3157
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link