RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
87
Autour de -190% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3157
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link