RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
53
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
28
53
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1885
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO M418039 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link