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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
53
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
28
53
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
1885
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
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