RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3193
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link