RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3428
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link