RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
54
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3428
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link