RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
28
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3575
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link