RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3098
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link