RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3463
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link