RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
34
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2907
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link