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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
34
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
34
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
11.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
2907
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
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SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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