RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3169
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link