RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3169
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link