RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2462
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link