RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
12.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2462
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link