RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston KHX426C13/8G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2610
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A1600C11 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link