RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3206
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905403-434.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link