RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2272
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link