RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2829
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link