RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
68
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
2588
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link