RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
53
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
53
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2333
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link