RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
69
Wokół strony -283% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3286
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link