RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3110
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link