RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3127
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link