RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2581
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link