RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
40
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3090
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link