RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
63
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,583.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,895.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,583.7
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
639
2920
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link