RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
50
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
50
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2424
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link