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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
40
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3090
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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