RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
74
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
74
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1616
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link