RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
74
Por volta de 62% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
12.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
74
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
1616
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link