RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Porównaj
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
43
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.9
18.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1647
4324
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link