RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1976
2179
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link