RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
58
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
3911
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link