RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
5.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.7
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3357
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link