RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
58
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2984
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link