RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
58
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
3380
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link