RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
92
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
50
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2512
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link