RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
92
Intorno -84% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
50
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
2512
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link