RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
58
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
18.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
4177
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link