RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
58
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
3149
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link