RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
58
Por volta de -81% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
14.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
3149
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link