RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
101
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
2,107.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
101
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
1382
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link