RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
58
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2665
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link