RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
58
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
2,107.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2271
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link