RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2622
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link