RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
58
Wokół strony -205% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
3314
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link